近来，西安交通大学电信学部电子学院教授任巍、牛刚团队使用根据二硫化钼沟道和外延铁电HZO薄膜栅介质的光电晶体管完成了高呼应度光电勘探，相关研讨成果宣布在

  该研讨使用优化的具有背栅结构和肖特基对650nm波长光电呼应进行了试验验证并完成杰出的光电勘探功能。将半导体硅工艺兼容性好、铁电畴取向一致性高的外延铪基铁电薄膜应用于此类器材，有助于进步器材功能并研讨相关重要物理现象，包含双极电学行为和负光电导性。

  在对二硫化钼资料特性，以及器材电特性和光电特性的研讨基础上，研讨团队阐明晰二硫化钼光电勘探器铁电调控功能的原因。试验中还调查到了具有-8.44×103A W-1高呼应度的负光电导，这关于极弱光勘探具有极端重大意义。