V特性曲线的线性比较好。图示出了LED与LD的PIV特性曲线的比较。由图可见，其中LED1和LED2是正面发光型发光二极管的Pq特性曲线是端面发光型发光二极管的PIV特性曲线，可见，发光二极管的PIV特性曲线明显优于半导体激光器，所以在

  光纤通信系统中得到普遍应用。但在数字光纤通信系统中，因为它不能获得很高的调制速率（最高只能达到100 Mb/s）而受到限制。

  自发地下降到低能态（也就是电子和空穴复合），产生自发辐射或者热效应。所以LED的响应速度主要是由上能级的寿命决定。而LD因为有光腔产生的光反馈，这个光可以把处于上能级的高能态的电子，通过受激辐射，下降到低能态。所以LD比LED更快。也能说LD的光特别大程度上是受限于皮秒ps的光子寿命，而LED受限于纳秒ns的载流子寿命。从LD的光子寿命能分析如下：“估算无腔面镀膜，折射率为3.5的300um长激光器器件中，光子寿命是多少？”

  L=300um,R1=R2=0.3 先不看吸收损耗α=0，计算g ~Cav~ =40cm^-1^

  这个ps量级的光子寿命，就是半导体激光器能够迅速调整的基本原因了。而LED的载流子寿命是ns级别。因此激光器可以调制到Gb/s,远比二极管的速度快。

  不过也听说国外有人用microLED做光调制到1~5 Gb/s。微LED波长430 nm，带宽20 nm， 几厘米的传输距离能轻松实现高速调制，

  方式就是简单地以高速率对光波幅度进行打开和关断便已足够满足需求。但是现在，

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